TH513 半導(dǎo)體C-V特性分析儀

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。

儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì)，二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測(cè)試，無需頻繁切換接線及設(shè)置參數(shù)，單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測(cè)試，適用于生產(chǎn)線快速測(cè)試、自動(dòng)化集成。

CV曲線掃描分析能力亦能滿足實(shí)驗(yàn)室對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件的研發(fā)及分析。

儀器設(shè)計(jì)頻率為1kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V，VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V，足以滿足大多數(shù)功率器件測(cè)試。

功能特點(diǎn)

A.一體化測(cè)試，集成度高、體積小、效率高

一臺(tái)儀器內(nèi)置了LCR數(shù)字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機(jī)軟件，將復(fù)雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統(tǒng)內(nèi)，操作更簡(jiǎn)單。特別適合產(chǎn)線快速化、自動(dòng)化測(cè)試。

B.單管器件測(cè)試，10.1寸大屏，四種寄生參數(shù)同屏顯示，讓細(xì)節(jié)一覽無遺

MOSFET或IGBT最重要的四個(gè)寄生參數(shù)：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測(cè)試，10.1寸大屏可同時(shí)將測(cè)量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示，一目了然。

一鍵測(cè)試單管器件器件時(shí)，無需頻繁切換測(cè)試腳位、測(cè)量參數(shù)、測(cè)量結(jié)果，大大提高了測(cè)試效率。

C.列表測(cè)試，多個(gè)、多芯、模組器件測(cè)量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測(cè)試，所有測(cè)量參數(shù)通過列表掃描模式同時(shí)顯示測(cè)試結(jié)果及判斷結(jié)果。

D.曲線掃描功能（選件）

在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線也是一個(gè)非常重要的指標(biāo)，如下圖

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以以對(duì)數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描，可同時(shí)顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。

E.的接觸檢查（Contact）功能，提前排除自動(dòng)化測(cè)試隱患

F.的快速通斷測(cè)試（OP_SH）,排除損壞器件

在半導(dǎo)體器件特性測(cè)試時(shí)，由于半器件本身是損壞件，特別是多芯器件其中一個(gè)芯已經(jīng)損壞的情況下，測(cè)試雜散電容仍有可能被為合格，而半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通特性才是最重要的特性。

因此，對(duì)于本身導(dǎo)通特性不良的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測(cè)試是沒有必要的，不僅僅浪費(fèi)了測(cè)量時(shí)間，同時(shí)會(huì)由于C-V合格而混雜在良品里，導(dǎo)致成品出貨后被退回帶來?yè)p失.

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀提供了快速通斷測(cè)試（OP_SH）功能,可用于直接判斷器件本身導(dǎo)通性能。

G.模組式器件設(shè)置，支持定制

針對(duì)模組式器件如雙路（Dual）MOSFET、多組式IGBT，有些器件會(huì)有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對(duì)此情況做了優(yōu)化，常見模組式芯片Demo已內(nèi)置，特殊芯片支持定制.

H.簡(jiǎn)單快捷設(shè)置

I.10檔分選及可編程HANDLER接口

J.支持定制化，智能固件升級(jí)方式

同惠儀器對(duì)于客戶而言是開放的，儀器所有接口、指令集均為開放設(shè)計(jì)，客戶可自行編程集成或進(jìn)行功能定制，定制功能若無硬件更改，可直接通過固件升級(jí)方式更新。

儀器本身功能*、BUG解決、功能升級(jí)等，都可以通過升級(jí)固件(Firmware)來進(jìn)行更新，而無需返廠進(jìn)行。

固件升級(jí)非常智能，可以通過系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進(jìn)行，智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級(jí)包，并自動(dòng)進(jìn)行升級(jí)

K.技術(shù)解決Ciss、Coss、Crss、Rg產(chǎn)線/自動(dòng)化系統(tǒng)高速測(cè)試精度

同惠電子在電容測(cè)試行業(yè)近30年的經(jīng)驗(yàn)積累，得以在產(chǎn)線、自動(dòng)化測(cè)試等高速高精度測(cè)試場(chǎng)合，都能保證電容、電阻等測(cè)試精度。

常規(guī)產(chǎn)線測(cè)試，提供標(biāo)準(zhǔn)0米測(cè)試夾具，直插器件可直接插入進(jìn)行測(cè)試，Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度高。

針對(duì)自動(dòng)化測(cè)試，由于自動(dòng)化設(shè)備測(cè)試工裝通常需要較長(zhǎng)連接線，大多自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)商在延長(zhǎng)測(cè)試線時(shí)會(huì)帶來很大的精度偏差，為此，同惠設(shè)計(jì)了的2米延長(zhǎng)線并內(nèi)置了2米校準(zhǔn)，保證Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度和0米測(cè)試夾具一致。

L.半導(dǎo)體元件寄生電容知識(shí)

在高頻電路中，半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會(huì)影響半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性，所以在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件時(shí)需要考慮下列因數(shù)

在高頻電路設(shè)計(jì)中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來的影響；MOS管的寄生電容會(huì)影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅(qū)動(dòng)能力和開關(guān)損耗等多方面特性；寄生電容的電壓依賴性在電路設(shè)計(jì)中也是至關(guān)重要，以MOSFET為例。

M.標(biāo)配附件